| 000 | 01621nam a2200301 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | MX-TeUDD | ||
| 005 | 20240521140310.0 | ||
| 008 | 050111s2002 sp 000 0 spa c | ||
| 020 | _a8483015668 | ||
| 040 |
_aMX-TeUDD _bspa _cMX-TeUDD |
||
| 050 | 0 | 4 |
_aTK7871.96.B55 _bL6 2002 |
| 100 | 1 |
_aLópez González, Juan Miguel. _9123150 |
|
| 245 | 1 | 3 |
_aEl transistor bipolar de heterounión : _bfísica, electrónica y microondas / _cJuan Miguel López González. |
| 250 | _a1a ed. | ||
| 260 |
_aBarcelona ; España : _bUniversitat politéncia de catalunya, _c2002 |
||
| 300 |
_a381 p. : _bil. ; _c30 cm. |
||
| 490 | 0 | _aAula politécnica. | |
| 490 | 1 |
_aAula politécnica. _v67 |
|
| 504 | _aBibliografía: p. 379-381. | ||
| 505 | 8 | _aCapítulo 1. Introducción.-- Capítulo 2. Geometría .-- Capítulo 3. Física de materiales.-- Capítulo 4. Física de dispositivo.-- Capítulo 5. Modelos analíticos.-- Capítulo 6. Modelos de Ebers-Moll y Gummel-Poon.-- Capítulo 7. Circuitos equivalente SPICE.-- Capítulo 8. Electrónica de alta velocidad y alta frecuencia.-- Capítulo 9. Bipuerto y tripuerto. Figuras de mérito:fTy fmáx.-- Capítulo 10. Parámetros S. Ganancias de potencia.-- Capítulo 11. Ejemplo de aplicación. Un HBT-GaAs de TRW.-- Capítulo 12. Características de materiales semiconductores.-- Capítulo 13. Medidas experimentales y parámetros SPICE. | |
| 650 | 4 |
_aTransistores unión _9123151 |
|
| 650 | 4 |
_aCircuitos integrados _944941 |
|
| 650 | 4 |
_aTransistores _987783 |
|
| 830 | 0 |
_aAula politécnica. _pETSEIT ; _v67 _9123152 |
|
| 905 | _aAcervo | ||
| 906 |
_aPaty _b20050111 |
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| 942 |
_cBK01 _2lcc |
||
| 999 |
_c266776 _d266776 |
||
| 907 |
_c1153 _dMaría del Rayo Partida Ramírez |
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