Imagen de portada de Amazon
Imagen de Amazon.com
Imagen de OpenLibrary

El transistor bipolar de heterounión : física, electrónica y microondas / Juan Miguel López González.

Por: Tipo de material: TextoTextoSeries Aula politécnica | Aula politécnica. ETSEIT ; ; 67Detalles de publicación: Barcelona ; España : Universitat politéncia de catalunya, 2002Edición: 1a edDescripción: 381 p. : il. ; 30 cmISBN:
  • 8483015668
Tema(s): Clasificación LoC:
  • TK7871.96.B55 L6 2002
Contenidos:
Capítulo 1. Introducción.-- Capítulo 2. Geometría .-- Capítulo 3. Física de materiales.-- Capítulo 4. Física de dispositivo.-- Capítulo 5. Modelos analíticos.-- Capítulo 6. Modelos de Ebers-Moll y Gummel-Poon.-- Capítulo 7. Circuitos equivalente SPICE.-- Capítulo 8. Electrónica de alta velocidad y alta frecuencia.-- Capítulo 9. Bipuerto y tripuerto. Figuras de mérito:fTy fmáx.-- Capítulo 10. Parámetros S. Ganancias de potencia.-- Capítulo 11. Ejemplo de aplicación. Un HBT-GaAs de TRW.-- Capítulo 12. Características de materiales semiconductores.-- Capítulo 13. Medidas experimentales y parámetros SPICE.
Etiquetas de esta biblioteca: No hay etiquetas de esta biblioteca para este título. Ingresar para agregar etiquetas.
Valoración
    Valoración media: 0.0 (0 votos)
Existencias
Tipo de ítem Biblioteca actual Colección Signatura topográfica Copia número Estado Notas Fecha de vencimiento Código de barras
03-Préstamo a 3 días (Libros) 03-Préstamo a 3 días (Libros) Biblioteca Magna a Acervo General TK7871.96.B55 L6 2002 V. 1 Ej. 02 Disponible 080154
01-Préstamo Interno (Libros) 01-Préstamo Interno (Libros) Biblioteca Magna a Acervo General TK7871.96.B55 L6 2002 V. 1 Ej. 01 Disponible Préstamo interno (etiqueta naranja) 080153

Bibliografía: p. 379-381.

Capítulo 1. Introducción.-- Capítulo 2. Geometría .-- Capítulo 3. Física de materiales.-- Capítulo 4. Física de dispositivo.-- Capítulo 5. Modelos analíticos.-- Capítulo 6. Modelos de Ebers-Moll y Gummel-Poon.-- Capítulo 7. Circuitos equivalente SPICE.-- Capítulo 8. Electrónica de alta velocidad y alta frecuencia.-- Capítulo 9. Bipuerto y tripuerto. Figuras de mérito:fTy fmáx.-- Capítulo 10. Parámetros S. Ganancias de potencia.-- Capítulo 11. Ejemplo de aplicación. Un HBT-GaAs de TRW.-- Capítulo 12. Características de materiales semiconductores.-- Capítulo 13. Medidas experimentales y parámetros SPICE.

Sistema de Gestión Bibliotecaria Koha - Un desarrollo de L.B. Ulises Castrejón M. y L.I. Alejandro Castrejón M. para la Universidad Autónoma de Nayarit